企业简介
无锡华润上华半导体有限公司 main business:研究开发设计制造集成电路（包括集成电路测试与封装、光罩制作）、电路模块、微处理机、微处理器、半导体记忆体记忆零组件、新型电子元器件、新型平板显示器件。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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无锡华润上华半导体有限公司的工商信息
- 320200400007136
- 91320214714903842J
- 注销
- 有限责任公司(外商合资)
- 1999年07月21日
- 余楚荣
- 16801.147000
- 1999年07月21日 至 2049年07月20日
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 2017年08月04日
- 无锡市新区新洲路8号
- 研究开发设计制造集成电路（包括集成电路测试与封装、光罩制作）、电路模块、微处理机、微处理器、半导体记忆体记忆零组件、新型电子元器件、新型平板显示器件。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
分支机构
无锡华润上华半导体有限公司上海分公司
无锡华润上华半导体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104881070B | 一种适用于MEMS应用的超低功耗LDO电路 | 2016.11.09 | 本发明提供一种适用于MEMS应用的超低功耗LDO电路，包括稳定电压电路（201）、运算放大器（203 |
| 2 | CN105990423A | 横向双扩散场效应管 | 2016.10.05 | 一种横向双扩散场效应管，对单个元胞中的源极结构部分加入多于一个的栅极沟槽结构，并从该栅极沟槽结构引出 |
| 3 | CN106206561A | LDMOS可控硅结构的静电保护器件 | 2016.12.07 | 本发明涉及一种LDMOS可控硅结构的静电保护器件，包括P型衬底，所述衬底上N阱、P阱，搭接于所述P阱 |
| 4 | CN106158957A | 横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述方法包括：提供形成有第一N阱、第一P |
| 5 | CN106158956A | 具有RESURF结构的LDMOSFET及其制造方法 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种具有RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、源极、漏极、体区及衬 |
| 6 | CN103777468B | 基于高台阶斜坡的光刻方法及系统 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种基于高台阶斜坡的光刻方法及系统，该方法包括：S1、在衬底上制备具有高台阶斜坡的牺牲层 |
| 7 | CN103964371B | 硅晶片的钝化层的腐蚀方法 | 2016.07.06 | 本发明涉及一种硅晶片的钝化层的腐蚀方法，包括往顶部开口的容器中倒入氢氟酸溶液、将硅晶片放置于容器的开 |
| 8 | CN105720109A | 一种沟槽型肖特基势垒二极管及其制备方法 | 2016.06.29 | 本发明提供一种沟槽型肖特基势垒二极管及其制备方法，所述二极管包括：半导体衬底及其背面的背面金属层；位 |
| 9 | CN105645347A | 体硅微加工工艺的定位方法 | 2016.06.08 | 一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在 |
| 10 | CN105826371A | 高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 2016.08.03 | 本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，还包括形成于衬底上的N型横向双 |
| 11 | CN104134661B | 一种高压集成电路及其制造方法 | 2016.12.28 | 本发明提供一种采用寄生JFET隔离结构的高压集成电路及其制造方法。该高压集成电路包括低压控制电路、高 |
| 12 | CN105990115A | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 2016.10.05 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成浅沟 |
| 13 | CN103779329B | 用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构 | 2016.11.16 | 本发明提供一种用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：形成在半导体衬底的具 |
| 14 | CN106033726A | 场效应晶体管的制作方法 | 2016.10.19 | 一种场效应晶体管的制作方法，多晶硅层形成后，光刻和刻蚀多晶硅层以形成源端区域，然后保留光刻胶，与衬底 |
| 15 | CN103681233B | 一种多沟槽结构的制作方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述 |
| 16 | CN105720099A | N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底；形成于衬底上的第一N阱；形成于第一 |
| 17 | CN103839846B | 沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法 | 2016.12.28 | 本发明提出了沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法。其中，所述方法包括：提供用于多晶硅回刻在线监控的片上 |
| 18 | CN105990408A | 横向绝缘栅双极型晶体管 | 2016.10.05 | 一种横向绝缘栅双极型晶体管，对单个元胞中的源极结构部分加入多于一个的栅极沟槽结构，并从该栅极沟槽结构 |
| 19 | CN103508406B | AZO薄膜、制备方法以及包括其的MEMS器件 | 2016.08.24 | 本发明提供一种AZO薄膜、制备方法以及包括其的MEMS器件，属于透明导电薄膜技术领域。该AZO（铝掺 |
| 20 | CN105990112A | 半导体器件的制作方法 | 2016.10.05 | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括基底层、位于所述基底层之 |
| 21 | CN105789298A | 横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | 2016.07.20 | 本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管，包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端，以及位于阳极端与阴极端之间的 |
| 22 | CN103578981B | 场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法 | 2016.09.07 | 本发明提供一种场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法，属于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术领域。该制备 |
| 23 | CN102074452B | 曝光菜单建立方法 | 2016.08.10 | 本发明涉及一种曝光菜单建立方法，建立曝光菜单时，使晶圆的槽口方向与光掩膜版长边方向垂直。本发明操作简 |
| 24 | CN105990139A | 横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法 | 2016.10.05 | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括步骤：在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区 |
| 25 | CN103681277B | 一种多层金属图形化工艺中的湿法腐蚀方法 | 2016.08.03 | 一种多层金属图形化工艺中的湿法腐蚀方法，利用冰乙酸(CH<sub>3</sub>COOH)、硝酸(H |
| 26 | CN103578965B | 两种腐蚀深度的一次成形方法 | 2016.08.03 | 本发明公开了一种两种腐蚀深度的一次成形方法，包括采用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处对腐蚀 |
| 27 | CN106033722A | 基于CMOS制造工艺的齐纳管的制造方法 | 2016.10.19 | 本发明提供一种基于CMOS制造工艺的齐纳管的制造方法，依次进行多晶硅淀积工艺、进行齐纳注入工艺、进行 |
| 28 | CN106033744A | 半导体器件的制备方法 | 2016.10.19 | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供半导体基底，半导体基底包括高压器件区和低压器件 |
| 29 | CN103065943B | 深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法，包括：获取刻蚀关键尺寸差值；根据刻蚀位置距离晶圆中 |
| 30 | CN104422561B | 用于压力传感器的检测设备、检测系统以及检测方法 | 2016.12.28 | 本发明提供一种用于压力传感器的检测设备、检测系统以及检测方法。该检测设备包括：承载装置、多个固定装置 |
| 31 | CN104418295B | 用于MEMS的双面微加工方法和MEMS器件 | 2016.12.28 | 本发明提供一种用于MEMS的双面微加工方法和MEMS器件。该方法包括：步骤1：在衬底的第一表面上制作 |
| 32 | CN103855046B | 一种监控回刻深度的结构和监控方法 | 2016.12.21 | 一种回刻深度的监控结构和监控方法，该监控结构为制作在晶圆非元件区上的表面截面为梯形的沟槽。该监控方法 |
| 33 | CN106610561A | 光刻版的形成方法 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种光刻版的形成方法，包括下列步骤：生成第一版图；对第一版图进行电阻逻辑运算，形成第二版图 |
| 34 | CN104766808B | 晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法 | 2017.04.26 | 本发明提供的晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法，通过获得所述晶圆上各芯片的各导电层的 |
| 35 | CN106571388A | 具有RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管 | 2017.04.19 | 本发明涉及一种具有RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、第一导电类型阱区、第 |
| 36 | CN106571370A | 基于SOI工艺的介质电容 | 2017.04.19 | 本发明涉及一种基于SOI工艺的介质电容，从底部到顶部顺次包括：底层硅；形成于所述底层硅表面的埋氧化层 |
| 37 | CN106558580A | 具有静电释放保护结构的半导体器件 | 2017.04.05 | 本发明涉及一种具有静电释放保护结构的半导体器件，包括连接于所述半导体器件的栅极和源极之间的二极管，所 |
| 38 | CN104022110B | 电平移位LDMOS嵌于结终端中的集成电路芯片及其制造方法 | 2017.03.29 | 本发明涉及一种电平移位LDMOS嵌于结终端中的集成电路芯片，包括位于芯片外围的结终端，被所述结终端包 |
| 39 | CN103928513B | 一种沟槽DMOS器件及其制作方法 | 2017.03.29 | 一种沟槽型DMOS器件及其制作方法，该DMOS器件中将栅极沟槽从位于衬底上方的介质层中开始往衬底延伸 |
| 40 | CN106531720A | 漏电测试结构及晶圆结构 | 2017.03.22 | 本发明涉及一种漏电测试结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阱区和至少一个注入窗口，从所述注入窗 |
| 41 | CN104282555B | 一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第 |
| 42 | CN106484938A | 结型场效应晶体管的仿真模型及仿真方法 | 2017.03.08 | 本发明涉及一种结型场效应晶体管的仿真模型，包括：核心场效应晶体管模型，其电流电压特性采用BSIM3/ |
| 43 | CN106483758A | 光学邻近效应修正方法和系统 | 2017.03.08 | 一种光学邻近效应修正方法，线段的目标位置点的设置方式不再是固定的，而是随着图形变化的，通常选取该线段 |
| 44 | CN104515640B | 电容式MEMS压力传感器 | 2017.02.22 | 一种电容式MEMS压力传感器，由于将检测薄膜和电容上下电极分开，而不是作为其中之一，器件工作时，外界 |
| 45 | CN106411302A | 开关控制电路 | 2017.02.15 | 本发明涉及一种开关控制电路，用于对开关电路的通断进行控制；包括：时钟电路，用于生成第一时钟控制信号和 |
| 46 | CN106403920A | 加速度器 | 2017.02.15 | 一种加速度器，包括：加速度传感器，用于输出电信号；采样低通滤波器，与加速度传感器连接，用于定时地对电 |
| 47 | CN103107080B | 一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法，包括如下步骤：a.利用静电吸盘对圆片进行 |
| 48 | CN104826781B | 圆片涂胶的方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种圆片涂胶的方法，包括以下步骤：将圆片置于涂胶设备的载片台上；设置喷胶点，从所述圆片的 |
| 49 | CN104163398B | 半导体器件中深槽的填充结构及其填充方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种半导体器件中深槽的填充方法，包括下列步骤：对硅衬底进行刻蚀，形成沟槽结构；在沟槽结构 |
| 50 | CN105084296B | MEMS电容式压力传感器的制作方法 | 2017.02.08 | 一种MEMS电容式压力传感器的制作方法，采用预先在衬底表面形成凹部来作为电容间隙，通过深槽隔离和键合 |
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